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8 pouces 4H-N type SiC épaisseur de gaufre 500±25um n dopé mannequin de qualité de recherche
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | SiC |
Conditions de paiement et expédition:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
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| Delivery Time: | 2-4 weeks |
| Payment Terms: | T/T |
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Détail Infomation |
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| polytype: | 4H | surface orientation: | <11-20>4±0.5 |
|---|---|---|---|
| dopant: | n-type Nitrogen | resistivity: | 0.015~0.025ohm ·cm |
| diameter: | 200±0.2 mm | thickness: | 500±25 um |
| Le bord: | Chambre de nuit | surface finish: | Si-face CMP |
Description de produit
8 pouces 4H-N type SiC épaisseur de gaufre 500±25um n dopé mannequin de qualité de recherche
8 pouces 4H-N type SiC Wafer résumé
Cette étude présente la caractérisation d'une plaque de carbure de silicium (SiC) de type 4H-N de 8 pouces destinée aux applications de semi-conducteurs.a été fabriqué selon des techniques de pointe et est doté d'impuretés de type nDes techniques de caractérisation comprenant la diffraction aux rayons X (XRD), la microscopie électronique par balayage (SEM) et les mesures de l'effet Hall ont été utilisées pour évaluer la qualité du cristal, la morphologie de la surface, la densité et la densité de l'eau.et propriétés électriques de la gaufreL'analyse XRD a confirmé la structure poly-type 4H de la plaque SiC, tandis que l'imagerie SEM a révélé une morphologie de surface uniforme et sans défaut.Les mesures de l'effet Hall ont indiqué un niveau de dopage de type n cohérent et contrôlable sur toute la surface de la gaufreLes résultats suggèrent que la plaque SiC de type 4H-N de 8 pouces présente des caractéristiques prometteuses pour une utilisation dans des dispositifs semi-conducteurs de haute performance.en particulier dans les applications nécessitant une puissance élevée et un fonctionnement à haute températureD'autres études d'optimisation et d'intégration des dispositifs sont nécessaires pour exploiter pleinement le potentiel de cette plateforme matérielle.
Propriétés de la gaufre SiC de type 8 pouces 4H-N
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Structure cristalline: présente une structure cristalline hexagonale avec un polytype 4H, fournissant des propriétés électroniques favorables pour les applications de semi-conducteurs.
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Diamètre de la gaufre: 8 pouces, fournissant une grande surface pour la fabrication et l'évolutivité du dispositif.
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Épaisseur de la wafer: typiquement 500 ± 25 μm, assurant une stabilité mécanique et une compatibilité avec les processus de fabrication de semi-conducteurs.
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Dopage: Dopage de type N, où des atomes d'azote sont intentionnellement introduits sous forme d'impuretés pour créer un excès d'électrons libres dans le réseau cristallin.
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Propriétés électriques:
- Haute mobilité des électrons, permettant un transport de charge efficace.
- Faible résistance électrique, facilitant la conduction de l'électricité.
- Profil de dopage contrôlé et uniforme sur toute la surface de la galette.
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Pureté du matériau: Matériau SiC de haute pureté, avec de faibles niveaux d'impuretés et de défauts, garantissant des performances fiables et une longue durée de vie du dispositif.
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Morphologie de surface: Morphologie de surface lisse et sans défaut, adaptée à la croissance épitaxienne et aux processus de fabrication des dispositifs.
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Propriétés thermiques: haute conductivité thermique et stabilité à températures élevées, ce qui la rend adaptée aux applications à haute puissance et à haute température.
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Propriétés optiques: énergie à large bande passante et transparence dans le spectre visible et infrarouge, permettant l'intégration de dispositifs optoélectroniques.
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Propriétés mécaniques:
- Haute résistance mécanique et dureté, assurant durabilité et élasticité lors de la manipulation et du traitement.
- Faible coefficient de dilatation thermique, ce qui réduit le risque de fissuration induite par un stress thermique pendant le cycle de température.
Numéro Nom de l'article Unité Production La recherche Espèce de crétin! 1 poly-type 4 heures 4 heures 4 heures 2 orientation de la surface - Je ne sais pas. Le nombre d'étoiles est de 0,4 ± 0.5 Le nombre d'étoiles est de 0,4 ± 0.5 Le nombre d'étoiles est de 0,4 ± 0.5 3 dopeur Azot de type n Azot de type n Azot de type n 4 résistance Ohm · cm 0.015 à 0.025 0- Je ne sais pas.03 5 diamètre mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2 6 épaisseur μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25 7 Orientation de l'encoche - Je ne sais pas. [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5 8 Profondeur d'encoche mm Un à un.5 Un à un.5 Un à un.5 9 VTT μm ≤ 5 ((10 mm × 10 mm) ≤ 5 ((10 mm × 10 mm) ≤ 10 mm × 10 mm 10 TTV μm ≤ 10 ≤ 10 ≤ 15 11 Faites une fleur. μm 25 à 25 45 à 45 65 à 65 12 La distorsion. μm ≤ 30 ≤ 50 ≤ 70
8 pouces 4H-N type image de la gaufre SiC
Application de la gaufre SiC de type 8 pouces 4H-N
Électronique de puissance: Les plaquettes SiC sont largement utilisées dans la fabrication de dispositifs de puissance tels que les diodes Schottky, les MOSFET (transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique),et IGBT (transistors bipolaires à porte isolée)Ces dispositifs bénéficient de la haute tension de rupture du SiC, de sa faible résistance à l'état actif et de ses performances à haute température, ce qui les rend adaptés aux applications dans les véhicules électriques,systèmes d'énergie renouvelable, et les systèmes de distribution d'énergie.
Appareils à RF et à micro-ondes: Les plaquettes SiC sont utilisées dans le développement de dispositifs RF (Radio Frequency) et micro-ondes à haute fréquence en raison de leur haute mobilité électronique et de leur conductivité thermique.Les applications comprennent les amplificateurs de haute puissanceLes avantages de performance du SiC permettent une gestion efficace de l'énergie et un fonctionnement à haute fréquence.
Optoélectronique: Les plaquettes SiC sont utilisées dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que les photodétecteurs ultraviolets (UV), les diodes électroluminescentes (LED) et les diodes laser.L'écart de bande large du SiC et sa transparence optique dans la gamme UV le rendent adapté aux applications de détection UV, stérilisation UV, et LED UV de haute luminosité.
Électronique à haute température: Les plaquettes de SiC sont préférées pour les systèmes électroniques fonctionnant dans des environnements difficiles ou à températures élevées.et systèmes de commande de moteurs automobiles, où la stabilité thermique et la fiabilité du SiC permettent de fonctionner dans des conditions extrêmes.
Technologie des capteurs: Les plaquettes de SiC sont utilisées dans le développement de capteurs hautes performances pour des applications telles que la détection de la température, la détection de la pression et la détection des gaz.Les capteurs à base de SiC offrent des avantages tels qu'une sensibilité élevée, des temps de réponse rapides et une compatibilité avec des environnements difficiles, ce qui les rend adaptés aux applications industrielles, automobiles et aérospatiales.